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高电导率硅氧负极材料及其应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201911230649.1
IPC分类号：H01M4/36;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525
申请日期：
2019-12-04
申请人：
兰溪致德新能源材料有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高电导率硅氧负极材料及其应用
申请号	CN201911230649.1	申请日期	2019-12-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-04-21	公开/公告号	CN111048756A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;4;8;;;H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5查看分类表>
申请人	兰溪致德新能源材料有限公司	申请人地址	浙江省金华市兰溪市经济开发区（兰江街道城郊西路17号）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	兰溪致德新能源材料有限公司	当前权利人	兰溪致德新能源材料有限公司
发明人	陈青华;房冰;胡盼;刘江平
代理机构	北京久诚知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	余罡

摘要

本发明提供了一种高电导率硅氧负极材料，包括硅基内核和在所述硅基内核表面形成的包覆层，所述包覆层包括碳和快离子导体，所述快离子导体在包覆层形成完整离子传输通道，直接连接所述硅基内核并延伸至所述包覆层表面。快离子导体在包覆层形成完整的离子通道，可使所述硅氧负极材料兼顾电子电导率和离子电导率，同时稳定SEI膜，有效提高材料容量和电化学性能。

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