光学邻近效应修正方法及相应的掩膜图形形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110456959.2
IPC分类号：G03F1/36
申请日期：
2011-12-31
申请人：
无锡华润上华科技有限公司

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专利名称	光学邻近效应修正方法及相应的掩膜图形形成方法
申请号	CN201110456959.2	申请日期	2011-12-31
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-03	公开/公告号	CN103186032A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/36 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/36 具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;3;6查看分类表>
申请人	无锡华润上华科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-6 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡迪思微电子有限公司	当前权利人	无锡迪思微电子有限公司
发明人	万金垠;王谨恒;张雷;陈洁
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	杜娟娟;王忠忠

摘要

本发明提供一种光学邻近效应修正方法，包括模拟预期光刻图形，获得所模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差，依据所述差调整所述预期光刻图形，依据所述差对预期光刻图形进行调整包括根据模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差与调整因子之间的预设关系，获得与所模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差相对应的调整因子，由所述差与所述调整因子相乘获得所述预期光刻图形的调整量，以及根据该调整量调整所述预期光刻图形。依据该方法可避免预期光刻图形在形成硅片表面的光刻图形后产生偏差。

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