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防止环氧树脂渗出的试剂和方法、布线基板及半导体封装体

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200780000050.8
  • IPC分类号:H01L23/12;C23C26/00;H01L21/52;C07D233/56;C07D249/04;C07D257/04
  • 申请日期:
    2007-01-09
  • 申请人:
    日矿金属株式会社
著录项信息
专利名称防止环氧树脂渗出的试剂和方法、布线基板及半导体封装体
申请号CN200780000050.8申请日期2007-01-09
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2008-07-02公开/公告号CN101213657
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/12IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;1;2;;;C;2;3;C;2;6;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;2;;;C;0;7;D;2;3;3;/;5;6;;;C;0;7;D;2;4;9;/;0;4;;;C;0;7;D;2;5;7;/;0;4查看分类表>
申请人日矿金属株式会社申请人地址
日本东京都港区虎之门二丁目10番4号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人捷客斯金属株式会社当前权利人捷客斯金属株式会社
发明人相场玲宏;中村久;三村智晴;土田克之
代理机构北京市中咨律师事务所代理人段承恩;田欣
摘要
本发明提供一种防止环氧树脂渗出的试剂,其即使在使用低应力型的芯片接合树脂的情况下,对芯片接合强度、组装特性也没有坏影响,且不损害防变色处理、封孔处理效果。本发明的在芯片接合工艺中防止环氧树脂渗出的试剂,其特征在于,含有含氟有机化合物,该含氟有机化合物含有碳原子数为3~24个的氟烃基CxHyFz-和极性基R-,其中x=3~24、y=0~48、z=1~49、y+z≤2x+1。

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