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ZnO、CuO和ZnS量子点薄膜的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010588318.8
  • IPC分类号:C09K11/58;C09K11/56
  • 申请日期:
    2010-12-07
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称ZnO、CuO和ZnS量子点薄膜的制备方法
申请号CN201010588318.8申请日期2010-12-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-06-08公开/公告号CN102086393A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09K11/58IPC分类号C;0;9;K;1;1;/;5;8;;;C;0;9;K;1;1;/;5;6查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区浙大路38号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人朱丽萍;胡亮;何海平;叶志镇
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人韩介梅
摘要
本发明涉及ZnO、CuO和ZnS量子点薄膜的制备方法,步骤包括:制备Cu离子修饰的ZnO量子点沉淀、CuO量子点沉淀和ZnS量子点沉淀;在上述制得三种量子点沉淀中分别加入三氯甲烷使其充分溶解,再加入正辛胺分散剂,得到Cu离子修饰的ZnO胶体量子点溶液、CuO胶体量子点溶液和ZnS胶体量子点溶液;将上述三种胶体量子点溶液分别用等量的三氯甲烷稀释,PTFE过滤器过滤,然后采用旋涂法将三种胶体量子点溶液中的一种或几种旋涂在ITO衬底上,预烘干后在空气中退火,得到量子点单层或多层薄膜。本发明制备工艺简单、旋涂的量子点薄膜不仅致密平整,附着性均良好,而且膜厚可控,易实现量子点多层结构,适合应用在多层量子点薄膜器件中。

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