抑制寄生晶体管开启的VDMOS结构及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410007458.X
IPC分类号：H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28
申请日期：
2014-01-07
申请人：
北京中科新微特科技开发股份有限公司

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专利名称	抑制寄生晶体管开启的VDMOS结构及其制造方法
申请号	CN201410007458.X	申请日期	2014-01-07
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-07-08	公开/公告号	CN104766884A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	北京中科新微特科技开发股份有限公司	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路11号微电子研究所综合楼4层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京中科新微特科技开发股份有限公司	当前权利人	北京中科新微特科技开发股份有限公司
发明人	邓海涛;王立新;王路璐;李洵;渠志光;高博
代理机构	北京名华博信知识产权代理有限公司	代理人	李冬梅;应志超

摘要

本发明提供一种抑制寄生晶体管开启的VDMOS结构及其制造方法，该VDMOS结构包括：衬底；覆盖衬底的外延层；位于外延层内的源掺杂区；位于外延层内并环绕源掺杂区的阱区；覆盖在沟道区表面和阱区之间的栅介质层；覆盖栅介质层的多晶硅栅极；位于多晶硅栅极上方并在边缘处与栅介质层相连的绝缘介质层；位于衬底下方的金属漏极；以及位于外延层表面的金属源电极，其中，金属源电极穿透源掺杂区，以使源掺杂区的长度减小。本发明的VDMOS结构可以有效地抑制寄生晶体管的开启，具有较高的可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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