为具有多个列的系统配置动态随机存取存储器刷新

发明专利有效专利

申请号：
CN201980045817.1
IPC分类号：G11C11/406
申请日期：
2019-06-18
申请人：
超威半导体公司

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著录项信息

专利名称	为具有多个列的系统配置动态随机存取存储器刷新
申请号	CN201980045817.1	申请日期	2019-06-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-02-19	公开/公告号	CN112384979A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/406 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/401 形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕 G11C11/406 刷新或电荷再生周期的管理或控制〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;0;6查看分类表>
申请人	超威半导体公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	超威半导体公司	当前权利人	超威半导体公司
发明人	凯达尔纳特·巴拉里斯南
代理机构	上海胜康律师事务所	代理人	樊英如;邱晓敏

摘要

一种电子装置，包括具有多个存储器列的存储器功能块以及耦接到所述存储器的存储器控制器功能块。所述存储器控制器包括刷新逻辑，所述刷新逻辑基于对所述存储器列中的每一个存储器列的缓冲存储器访问检测要在刷新间隔期间对其执行刷新的两个或更多个存储器列。至少部分地基于对所述两个或更多个存储器列的缓冲存储器访问的一个或多个特性，所述刷新逻辑确定用于在所述刷新间隔期间对所述两个或更多个存储器列执行刷新的刷新顺序。然后，所述存储器控制器按所述刷新顺序在所述刷新间隔期间对所述两个或更多个存储器列执行刷新。

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