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一种易于大面积分离的硅纳米线阵列的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210470483.2
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2012-11-19
  • 申请人:
    华北电力大学
著录项信息
专利名称一种易于大面积分离的硅纳米线阵列的制备方法
申请号CN201210470483.2申请日期2012-11-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-04-17公开/公告号CN103050378A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人华北电力大学申请人地址
北京市昌平区朱辛庄北农路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华北电力大学当前权利人华北电力大学
发明人李美成;谷田生;黄睿;赵兴;白帆;余航;宋丹丹;李英峰
代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司代理人黄家俊
摘要
本发明公开了一种易于大面积分离的硅纳米线阵列的制备方法,属于纳米材料技术和应用技术领域。本发明首先对硅片进行处理,得到表面清洁光滑的硅片;然后将硅片放在两个电极之间,并和电极一起放入刻蚀液中刻蚀反应,得到不同长度的硅纳米线阵列;在刻蚀结束前的10~15min时,加入电场强度为150~220V/cm且垂直于刻蚀方向的横向电场直至反应结束;最后用硝酸去除残留在硅纳米线阵列中的银、用氢氟酸去除硅片表面的氧化层即得到易于大面积分离的硅纳米线阵列。本发明工艺简单、可重复性好、灵活可控、成本低;首次引入外加横向电场制备易于分离的硅纳米线阵列,解决了传统硅纳米线阵列转移中不易分离且转移后长度不均匀的问题。

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