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多功能扩散硅压力传感器

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN03284716.5
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2003-09-16
  • 申请人:
    沈阳仪表科学研究院
著录项信息
专利名称多功能扩散硅压力传感器
申请号CN03284716.5申请日期2003-09-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人沈阳仪表科学研究院申请人地址
辽宁省沈阳市大东区北海街242号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人沈阳仪表科学研究院当前权利人沈阳仪表科学研究院
发明人唐慧;张治国;陈信琦;郑东明;刘宏伟;孙海玮
代理机构沈阳科威专利代理有限责任公司代理人崔红梅
摘要
多功能扩散硅压力传感器,以硅敏感芯片7为基底,在其正面两个惠斯登电桥1、2和一个感温电阻3,其特征在于:在芯片7的背面、与其正面两个惠斯登电桥相对应的位置为敏感膜片4、敏感膜片5,与玻璃8上面相对、玻璃8下面与导压管9相对,静电封接在一起;导压管9末端与基座11焊接;硅铝丝6将芯片7正面的元件与基座11上的引线10相连,采用全固态封装在壳体内。本设计是一种多用途新型OEM型传感器,它在面积为3.5×4.0mm2的硅片上将三个敏感元件集成为一体,易于大批量生产,一致性、重复性好。该传感器经过再次装配成差压传感器,能够同时测量现场中的差压、静压、温度的变化,静压和温度的测量数据可修正被测环境的差压输出信号,从而可提高了变送器的精度。

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