一种薄膜电容器用镍基板的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310065918.X
IPC分类号：H01G4/002;H01G4/33
申请日期：
2013-03-01
申请人：
溧阳华晶电子材料有限公司

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著录项信息

专利名称	一种薄膜电容器用镍基板的制造方法
申请号	CN201310065918.X	申请日期	2013-03-01
法律状态	暂无	申报国家	暂无
公开/公告日	2013-06-12	公开/公告号	CN103151167A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G4/002 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G4/00 固定电容器；及其制造方法（电解电容器入H01G 9/00）〔2〕 H01G4/002 零部件〔6〕	IPC分类号	H;0;1;G;4;/;0;0;2;;;H;0;1;G;4;/;3;3查看分类表>
申请人	溧阳华晶电子材料有限公司	申请人地址	浙江省嘉兴市海盐县望海街道盐嘉公路电庄段168号2幢变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	嘉兴亨泰金属科技股份有限公司	当前权利人	嘉兴亨泰金属科技股份有限公司
发明人	钱时昌
代理机构	南京天翼专利代理有限责任公司	代理人	蒋家华

摘要

本发明公开了一种薄膜电容器用镍基板的制造方法，该方法首先准备如下配比的原料：大于或等于99.98重量%的镍锭、0.001-0.002重量%的铜、0.0005-0.0008重量%的锰，0.005-0.008重量%的铝、0.0005-0.001重量%的铬，0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002重量%的钽；然后通过三次轧制和三次热退火，最终得到合适厚度的镍基板。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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