一种应用于阵列雪崩二极管的反偏电压调节电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201610851527.4
IPC分类号：G01J11/00
申请日期：
2016-09-26
申请人：
东南大学

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著录项信息

专利名称	一种应用于阵列雪崩二极管的反偏电压调节电路
申请号	CN201610851527.4	申请日期	2016-09-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-22	公开/公告号	CN106441597A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J11/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J11/00 测量单个光脉冲或光脉冲序列的特性〔5〕	IPC分类号	G;0;1;J;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人	东南大学	申请人地址	江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东南大学	当前权利人	东南大学
发明人	郑丽霞;翁子清;胡欢;朱田友;吴金;孙伟锋
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙）	代理人	杨晓玲

摘要

本发明公开了一种应用于阵列雪崩二极管的反偏电压调节电路，用以克服阵列SPAD应用中雪崩击穿电压非均匀性带来的影响，提高阵列SPAD检测灵敏度的一致性，具体结构为：对包括M个SPAD探测器的阵列雪崩二极管，本反偏电压调节电路包括一个反偏电压共享模块、一个数据寄存器和M个电压选择器，每个电压选择器包括N个数据输入端和一个控制输入端，每个电压选择器连接一个单光子雪崩二极管探测器。本发明用反偏电压共享模块同时为多个SPAD探测器的阳极提供偏置电压，具有电路面积小和功耗低等优点，适用于大规模阵列探测系统。

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