一种TiO2@PZT纳米线阵列/聚合物的复合介电材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710564172.5
IPC分类号：H01L41/18;H01L41/193
申请日期：
2017-07-11
申请人：
中南大学

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专利名称	一种TiO2@PZT纳米线阵列/聚合物的复合介电材料及其制备方法
申请号	CN201710564172.5	申请日期	2017-07-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-10-20	公开/公告号	CN107275475A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L41/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L41/083 和H01L 41/087优先于H01L 41/09至H01L 41/113各组。〔6〕 H01L41/16 材料的选择〔2〕 H01L41/18 用于压电器件或电致伸缩器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;1;/;1;8;;;H;0;1;L;4;1;/;1;9;3查看分类表>
申请人	中南大学	申请人地址	湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中南大学	当前权利人	中南大学
发明人	张斗;刘巍巍;罗行;汤林
代理机构	长沙市融智专利事务所（普通合伙）	代理人	魏娟

摘要

本发明公开了一种TiO2@PZT纳米线阵列/聚合物的复合介电材料，包括TiO2纳米线阵列、PZT包覆层和聚合物层。此外，本发明还公开了所述复合材料的制备方法，先在基底表面生长TiO2纳米线阵列层；再在其表面涂覆PZT溶胶、随后进行退火处理，最后再在复合后的TiO2纳米线阵列层表面涂覆聚合物溶液，干燥即得所述的复合介电材料。本发明提供的材料利用具备高度取向性的TiO2纳米线阵列作为基底，再将PZT相包覆于纳米线的表面、再在上层旋涂聚合物，可克服现有复合介电材料普遍存在的因陶瓷相和聚合物基体相容性不好、混合不均匀等导致的介电性能差的技术问题；通过所述的各层结构的协同，可高效提升复合材料的介电性能以及低电场下的储能密度。

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