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半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610093567.3
  • IPC分类号:H01L27/06;H01L21/822
  • 申请日期:
    2006-06-06
  • 申请人:
    松下电器产业株式会社
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN200610093567.3申请日期2006-06-06
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2006-12-13公开/公告号CN1877838
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/06IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2查看分类表>
申请人松下电器产业株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人松下电器产业株式会社当前权利人松下电器产业株式会社
发明人按田义治;田村彰良;谷内宽直
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人胡建新
摘要
本发明的目的在于提供半导体器件,包括用InGaP层作为在表面露出的半导体层的半导体电阻元件,能够提高元件隔离耐压。本发明的半导体器件具有:FET(21),其包括沟道层(3)、以及形成在沟道层(3)上且由非掺杂的InGaP构成的肖特基层(7);以及半导体电阻元件(22),其包括利用元件隔离区(12)来与FET(21)隔离的肖特基层(7)和沟道层(3)的一部分,FET(21)和半导体电阻元件(22)形成在同一衬底上,在元件隔离(12)内肖特基层(7)被去除。

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