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一种静态随机存取内存及适用于其的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010227887.X
IPC分类号：G11C11/41;G11C11/413
申请日期：
2010-07-06
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种静态随机存取内存及适用于其的方法
申请号	CN201010227887.X	申请日期	2010-07-06
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2011-08-17	公开/公告号	CN102157194A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/41 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;;;G;1;1;C;1;1;/;4;1;3查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	李政宏
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	陈红

摘要

本发明揭露一种静态随机存取内存(SRAM)及适用于其的方法，所述静态随机存取内存包含一数据线、一反数据线以及一电流路径区域。电流路径区域包含至少二晶体管，用以在自一第一逻辑电压转移至一第二逻辑电压的期间，提供一电流路径至数据线，其中电流路径区域连接至数据线与反数据线。

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