半导体工艺设备及其控制方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202111015141.7
IPC分类号：H01L21/67;H01L21/20
申请日期：
2021-08-31
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体工艺设备及其控制方法
申请号	CN202111015141.7	申请日期	2021-08-31
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-26	公开/公告号	CN113707579A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0查看分类表>
申请人	北京北方华创微电子装备有限公司	申请人地址	北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	徐爽;李红;邓晓军
代理机构	北京国昊天诚知识产权代理有限公司	代理人	施敬勃

摘要

本申请公开一种半导体工艺设备及其控制方法，所述半导体工艺设备包括工艺腔室、第一加热组件、第一传感器、第一控制模块和第二加热组件，所述工艺腔室包括腔体和承载座，所述承载座设置于所述腔体内，用于承载晶圆，所述第一传感器用于检测所述晶圆的曲翘度；所述第一加热组件和所述第二加热组件沿轴向分别设置于所述腔体的两侧，所述第二加热组件用于从所述承载座的第二侧对所述晶圆加热，所述第一控制模块根据所述曲翘度控制所述第一加热组件朝向所述承载座的第一侧向所述晶圆进行补偿加热，所述第一侧与所述第二侧相背分布。上述方案可以解决晶圆由于第一侧和第二侧温差较大，而导致晶圆在外延生长时存在缺陷的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供