一种太赫兹波段真空器件用的输能窗片及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910695041.X
IPC分类号：H01J9/00;C01B32/26
申请日期：
2019-07-30
申请人：
中国电子科技集团公司第十二研究所

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专利名称	一种太赫兹波段真空器件用的输能窗片及其制备方法
申请号	CN201910695041.X	申请日期	2019-07-30
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2019-11-05	公开/公告号	CN110416039A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J9/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J9/00 专用于制造放电管、放电灯及其部件的设备和方法（；从放电管或灯回收材料〔1，7〕	IPC分类号	H;0;1;J;9;/;0;0;;;C;0;1;B;3;2;/;2;6查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第十二研究所	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路13号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第十二研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第十二研究所
发明人	丁明清;李莉莉;化称意;李兴辉;韩攀阳;潘攀;蔡军;冯进军
代理机构	北京正理专利代理有限公司	代理人	赵晓丹

摘要

本发明提供一种太赫兹波段真空器件用的输能窗片，包括复合金刚石膜，以及在其形核面上依次生长的微米晶金刚石膜和超纳米晶金刚石膜或纳米晶金刚石膜；其中，所述复合金刚石膜的形核面经过了去除包含缺陷和非金刚石相表层的处理。该金刚石输能窗片的形核面重新生长的超纳米晶具有高的抗断裂强度，并降低了THz波的损耗；而重新生长的微米晶金刚石可适当提高形核面的表面粗造度，从而增加形核面与后续金属化层之间的结合力，防止金属化层的起皮或脱落，提高输能窗的密封性能和封接的成品率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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