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具有多层结构单膜的厚型气体电子倍增器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201810167593.9
  • IPC分类号:G01T1/16
  • 申请日期:
    2018-02-28
  • 申请人:
    中国科学院高能物理研究所
著录项信息
专利名称具有多层结构单膜的厚型气体电子倍增器
申请号CN201810167593.9申请日期2018-02-28
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2018-08-17公开/公告号CN108415059A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01T1/16IPC分类号G;0;1;T;1;/;1;6查看分类表>
申请人中国科学院高能物理研究所申请人地址
北京市石景山区玉泉路19号乙 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院高能物理研究所当前权利人中国科学院高能物理研究所
发明人谢宇广;吕军光;彭志远;胡涛
代理机构北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郭栋梁
摘要
本申请公开了一种具有多层结构单膜的厚型气体电子倍增器,包括由交替层叠设置的铜层和绝缘层构成的膜板,铜层与绝缘层紧密贴合,膜板的顶层和底层均设置为铜层,膜板上布设有多个贯穿直孔,贯穿直孔贯穿顶层及底层,贯穿直孔内壁设置有绝缘环,绝缘环隔绝铜层与贯穿直孔内腔,通过交替层叠设置的铜层和绝缘层构成的膜板,铜层与绝缘层紧密贴合,去掉了常规多层叠加结构之间设置的穿越区,减少了多层结构的厚度,膜板整体制作贯穿直孔,保证了孔位对齐,各层之间变形及平行度相同,能够解决多层结构孔位之间对齐和错位、多层之间变形及平行度不同的问题。

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