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鳍式场效应晶体管的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310754037.9
  • IPC分类号:H01L21/336
  • 申请日期:
    2013-12-31
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称鳍式场效应晶体管的形成方法
申请号CN201310754037.9申请日期2013-12-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-07-01公开/公告号CN104752222A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人何其暘;张翼英
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华
摘要
一种鳍式场效应晶体管的形成方法,包括:提供衬底,衬底上具有第一鳍部;形成横跨第一鳍部的栅极,栅极覆盖部分第一鳍部的顶部和侧壁;形成覆盖衬底和栅极的保护层;在保护层上形成图案化的掩膜层,图案化的掩膜层露出第一鳍部位置处的保护层;在同一工艺中去除覆盖第一鳍部位置处的保护层和图案化的掩膜层,形成图案化的保护层,图案化的保护层露出第一鳍部及其上的栅极;加热衬底,之后以图案化的保护层为掩膜,对栅极两侧第一鳍部进行离子注入,形成源极和漏极;去除图案化的保护层。采用本发明方法实现了经过离子注入后的第一鳍部中的非晶态硅的含量有所减小或非晶态硅层有所减薄的目的,进而提高了后续形成的第一鳍式场效应晶体管的性能。

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