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高容二次电池

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201320118379.7
  • IPC分类号:H01M10/04
  • 申请日期:
    2013-03-15
  • 申请人:
    深圳市力可兴电池有限公司;何策衡;陈风
著录项信息
专利名称高容二次电池
申请号CN201320118379.7申请日期2013-03-15
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M10/04IPC分类号H;0;1;M;1;0;/;0;4查看分类表>
申请人深圳市力可兴电池有限公司;何策衡;陈风申请人地址
广东省深圳市宝安区松岗街道罗田第三工业区广田路2号力可兴科技园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市力可兴电池有限公司,何策衡,陈风当前权利人深圳市力可兴电池有限公司,何策衡,陈风
发明人何策衡;王劲航;谢勋;陈风;彭华坚
代理机构深圳市中知专利商标代理有限公司代理人孙皓;林虹
摘要
一种高容二次电池,涉及二次电池,特别涉及卷绕型高容二次电池。高容二次电池,包括电池壳体、安装在壳体内的正极片(1)、负极片(2)和分隔正极片与负极片的隔膜(3),正极片(1)和负极片(2)沿壳体的轴心卷绕成一体;卷绕在外圈的极片从卷绕前端开始,按照极片的卷绕曲率极片的厚度由薄到厚变化。本实用新型通过调整极片在卷绕方向上的厚度,在保持对应的正、负极活性物质一定比例的前提下,可减少负极的活性物质量,相应腾出来空间,以此来增加电池的容量。

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