一种高质量草状五氧化二钒晶体及其制备方法和基于其的低维材料

发明专利有效专利

申请号：
CN202010668344.5
IPC分类号：C30B29/16;C30B23/00;C30B29/60;B82Y40/00
申请日期：
2020-07-13
申请人：
暨南大学

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著录项信息

专利名称	一种高质量草状五氧化二钒晶体及其制备方法和基于其的低维材料
申请号	CN202010668344.5	申请日期	2020-07-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-03	公开/公告号	CN111876826A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;1;6;;;C;3;0;B;2;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;6;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	暨南大学	申请人地址	广东省广州市天河区黄埔大道西601号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	暨南大学	当前权利人	暨南大学
发明人	谢伟广;曾文;陈楠;张宇靖;赖浩杰
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	杨燕瑞

摘要

本发明属于晶体材料技术领域，具体公开了一种高质量草状V2O5晶体及其制备方法。本发明采用一种改进版的物理气相沉积法制备V2O5晶体，即V2O5粉末在高温区蒸发成V2O5气体分子，在低温区沉积生长形成V2O5晶体。在制备过程中，携带V2O5气体分子的载气(氧气)通过倒机翼状载板时，由于上下气流流速不同，产生压强差，增强了V2O5气体分子在衬底上沉积的效率。本发明的制备方法工艺简单，效率高，可适用于规模化生产，同时本发明制备得到的草状V2O5晶体具有表面光滑、物相单一、结晶性好以及大尺寸等特点，此外，通过加工处理可得到V2O5的低维纳米结构材料，为进一步研究V2O5的相关性能、应用提供了原材料。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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