一种镁合金微弧氧化膜沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310099462.9
IPC分类号：C23C28/04;C23C24/08;C25D11/30
申请日期：
2013-03-26
申请人：
哈尔滨工业大学

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专利名称	一种镁合金微弧氧化膜沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法
申请号	CN201310099462.9	申请日期	2013-03-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-26	公开/公告号	CN103173765A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C28/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C28/00 用不包含在C23C 2/00至C23C 26/00各大组中单一组的方法，或用包含在C23C小类的方法与C25D小类中方法的组合以获得至少二层叠加层的镀覆〔4〕 C23C28/04 仅为无机非金属材料覆层〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;2;8;/;0;4;;;C;2;3;C;2;4;/;0;8;;;C;2;5;D;1;1;/;3;0查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	姚忠平;夏琦兴;沈巧香;胡冰;姜兆华
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	金永焕

摘要

一种镁合金微弧氧化膜沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法，它涉及一种镁合金微弧氧化膜表面沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法。本发明要解决现有羟基磷灰石力学性能差和镁合金生物活性与耐腐蚀性能不高的问题，本发明方法为：一、制备镁合金表面微弧氧化膜层；二、制备羟基磷灰石粉体；三、制备羟基磷灰石悬浊液；将表面带有微弧氧化膜层的镁合金和羟基磷灰石粉体悬浊液置于密封反应器中，然后水热反应，再取出干燥，即完成镁合金微弧氧化膜沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法。本发明应用化工领域。

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