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CMOS图像传感器的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410542501.2
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2014-10-14
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称CMOS图像传感器的制造方法
申请号CN201410542501.2申请日期2014-10-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-04-20公开/公告号CN105514130A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人张冠杰;杨媛;林杰;魏靖恒
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人吴贵明;张永明
摘要
本申请提供了一种CMOS图像传感器的制造方法。该制造方法包括:步骤S1,在半导体衬底的上表面上设置氧化层;步骤S2,在氧化层的远离半导体衬底的表面上设置栅极结构和侧墙;步骤S3,对氧化层和半导体衬底进行离子注入,在半导体衬底中形成光电二极管的插梢植入层;步骤S4,对氧化层进行刻蚀,形成栅氧层;步骤S5,在半导体衬底的上表面的不需要设置金属硅化物的位置设置金属硅化物阻挡层;步骤S6,形成CMOS图像传感器的金属硅化物层。在完成光电二极管的插梢植入层的制作之后再进行氧化层的刻蚀,进而在氧化层的保护下避免了形成插梢植入层的离子注入对有源区表面造成的损伤,因此有效低减轻了热像素现象。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供