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半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201611074777.8
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2016-11-29
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN201611074777.8申请日期2016-11-29
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2017-07-04公开/公告号CN106920751A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人邱耀德;陈蕙祺;叶震亚
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
一种半导体器件,其包括第一场效应晶体管(FET),第一场效应晶体管(FET)包括第一栅极介电层和栅电极。所述第一栅电极包括第一下金属层和第一上金属层。所述第一下金属层包括与所述第一栅极介电层接触的第一底金属层以及包括第一块状金属层。所述第一上金属层的底部与所述第一底金属层的上表面及所述第一块状金属层的上表面接触。本发明实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法,并且具体涉及一种结构和一种金属栅极结构的制造方法。

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