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具有透明导电层的MWT单多晶N型TOPCON电池

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201920486987.0
  • IPC分类号:H01L31/0224;H01L31/068
  • 申请日期:
    2019-04-11
  • 申请人:
    深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
著录项信息
专利名称具有透明导电层的MWT单多晶N型TOPCON电池
申请号CN201920486987.0申请日期2019-04-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0224IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;8查看分类表>
申请人深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司申请人地址
广东省深圳市龙岗区横岗街道横坪公路89号数字硅谷(涌鑫工业园)D栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司当前权利人深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
发明人张勇;李国庆;王晨光
代理机构深圳市康弘知识产权代理有限公司代理人尹彦;胡朝阳
摘要
本实用新型公开了一种具有透明导电层的MWT单多晶N型TOPCON电池,包括:N型衬底,所述N型衬底的正面依次向上设置有P型扩散层、SiO2层、钝化层、透明导电层和正金属电极,所述N型衬底的背面依次向下设置有超薄遂穿SiO2层、磷掺杂N型硅薄层,所述磷掺杂N型硅薄层外设有背电场层和背金属电极,所述透明导电层上设有多个贯穿至磷掺杂N型硅薄层的通孔,所述通孔内填有连接正金属电极的灌孔金属电极,使正金属电极延伸至磷掺杂N型硅薄层外。本实用新型通过增加透明导电层,可以使电池片接收阳光的受光率提高,同时因其导电特性,可以降低串联电阻,提高太阳能电池的短路电流和填充因子。

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