半导体器件的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010583094.5
IPC分类号：H01L27/11517;H01L27/11521;H01L21/308
申请日期：
2020-06-23
申请人：
武汉新芯集成电路制造有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体器件的制造方法
申请号	CN202010583094.5	申请日期	2020-06-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-02	公开/公告号	CN111739890A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11517 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11517 具有浮栅的〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;1;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;8查看分类表>
申请人	武汉新芯集成电路制造有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉新芯集成电路制造有限公司	当前权利人	武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人	杨道虹;周俊;孙鹏
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	曹廷廷

摘要

本发明提供了一种半导体器件的制造方法，在利用掩膜层刻蚀半导体衬底而形成有源区之后，逐渐缩小所述掩膜层的线宽，并将所述掩膜层暴露出的所述有源区的顶部表面修整为弧形曲面，该弧形曲面的纵剖形状介于椭圆弧和圆弧之间，其最大理想值可以为圆弧，此时，当现有设计规则定义有源区的线宽为A时，本发明改良后的有源区的弧形曲面所对应的表面弧长介于A和3.14A之间，有效沟道宽度被显著增大，根据导通电流与有效沟道宽度成正比的关系，器件的导通电流随之被显著增大，进而能有效提高器件速度和性能。此外，在将所述有源区的顶部表面修整为弧形曲面后仍保留有掩膜层，以在后续利用掩膜层来打开绝缘隔离层，简化工艺，节约成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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