一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN202211133712.1
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/495;H01L25/07
申请日期：
2022-09-19
申请人：
中科华艺（天津）科技有限公司

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专利名称	一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件
申请号	CN202211133712.1	申请日期	2022-09-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2022-10-21	公开/公告号	CN115223961A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;5;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7查看分类表>
申请人	中科华艺（天津）科技有限公司	申请人地址	天津市东丽区华明高新技术产业区华丰路6号E座1-205号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中科华艺（天津）科技有限公司	当前权利人	中科华艺（天津）科技有限公司
发明人	姜旭波;杨晓俊;尹飞
代理机构	天津合正知识产权代理有限公司	代理人	李震勇

摘要

本发明提供了一种基于QFN外形的氮化镓半导体器件，包括框架，其包括基岛和两个管脚，所述基岛上固设有一个耗尽型氮化镓MOSFET和一个增强型硅基MOSFET，且所述耗尽型氮化镓MOSFET的G极和增强型硅基MOSFET的S极电连接，所述增强型硅基MOSFET的G极与框架的其中一个管脚电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的D极与框架的另一个管脚电连接，所述耗尽型氮化镓MOSFET的S极与增强型硅基MOSFET的D极连接。本发明采用增强型硅基MOSFET控制耗尽型氮化镓MOSFET的开闭，从而使得氮化镓适用范围更广，提高电路导通后的整体电流。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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