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芯片外围反熔丝预修调电路及其修调方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110304645.4
  • IPC分类号:H03K19/00;H03K19/094;G05F1/56
  • 申请日期:
    2021-03-23
  • 申请人:
    泉芯电子技术(深圳)有限公司
著录项信息
专利名称芯片外围反熔丝预修调电路及其修调方法
申请号CN202110304645.4申请日期2021-03-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-04-23公开/公告号CN112702055A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03K19/00IPC分类号H;0;3;K;1;9;/;0;0;;;H;0;3;K;1;9;/;0;9;4;;;G;0;5;F;1;/;5;6查看分类表>
申请人泉芯电子技术(深圳)有限公司申请人地址
广东省深圳市南山区南头关口二路智恒产业园22栋4楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人泉芯电子技术(深圳)有限公司当前权利人泉芯电子技术(深圳)有限公司
发明人毛晓峰;黄朝刚;李剑
代理机构深圳市惠邦知识产权代理事务所代理人满群
摘要
本发明涉及芯片外围反熔丝预修调电路及其修调方法。修调方法包括:根据熔烧前测试的电参数初始值和电参数目标值用公式计算粗略预修调值,转换得粗略预修调的反熔丝组合;根据粗略预修调反熔丝组合对反熔丝进行粗略虚拟熔烧并测试出粗略电参数值;用设计的电参数的修调步长和粗略电参数值以及电参数目标值计算出预修调值偏差;根据预修调值偏差确定精准预修调范围,按精准预修调范围内的每个反熔丝修调组合对反熔丝进行虚拟熔烧并测试出对应的电参数预修调值,当在某个反熔丝组合下,测试到的电参数值和目标值最接近时,得到精准反熔丝组合;按照精准反熔丝组合对反熔丝进行熔烧,测试验证电参数最终值和目标值之间的误差是否满足要求。

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