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一种铁氧体基底薄膜电路的高效率光刻制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110178104.8
  • IPC分类号:H01L21/70;G03F7/00;G03F7/16
  • 申请日期:
    2011-06-28
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第九研究所
著录项信息
专利名称一种铁氧体基底薄膜电路的高效率光刻制作方法
申请号CN201110178104.8申请日期2011-06-28
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2013-01-02公开/公告号CN102856245A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/70IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;0;;;G;0;3;F;7;/;0;0;;;G;0;3;F;7;/;1;6查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第九研究所申请人地址
四川省绵阳市涪城区绵州南路356号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第九研究所当前权利人中国电子科技集团公司第九研究所
发明人张为国;倪经;陈学平;李杨兴;周俊;王喜生;曹照亮
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种铁氧体基底薄膜电路的高效率光刻制作方法,步骤如下:(1)根据预期制备的器件需要选择合适的铁氧体基底材料,并对基底进行金属化、清洗、干燥;(2)将清洗干净的镀有金属膜层的铁氧体基底多次反复涂胶烘焙,使得铁氧体基片上得到一层均匀、致密、对底层金属保护良好的抗蚀剂层;(3)将烘焙完成的抗蚀剂曝光、显影,得到抗蚀剂电路图形;(4)将抗蚀剂图形通过湿法或干法刻蚀等手段传递到金属上,这就完成了铁氧体基底微带薄膜电路的制作。本发明提出在铁氧体基底上多次反复涂胶烘焙的方法,使得所涂覆的抗蚀剂层均匀性、致密性更好,可克服铁氧体基底粗糙、多孔等缺点给光刻过程带来的抗蚀剂难以涂覆均匀的难题,减小或避免针孔、砂眼等缺陷出现的几率,进而可省略目前铁氧体薄膜电路制作工艺中的图形人工修补步骤,从而大大提高了铁氧体基底薄膜器件的工艺稳定性和制备效率。

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