一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110883669.X
IPC分类号：C30B25/02;C30B25/14;C30B25/16;C30B29/06;H01L21/02
申请日期：
2021-08-03
申请人：
南京国盛电子有限公司

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专利名称	一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法
申请号	CN202110883669.X	申请日期	2021-08-03
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-08-31	公开/公告号	CN113322512A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;0;2;;;C;3;0;B;2;5;/;1;4;;;C;3;0;B;2;5;/;1;6;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	南京国盛电子有限公司	申请人地址	江苏省南京市江宁区正方中路166号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京国盛电子有限公司	当前权利人	南京国盛电子有限公司
发明人	魏建宇;邓雪华;王银海;杨帆
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	张弛

摘要

本发明公开了一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法，包括如下步骤：预备衬底片：选用重掺As衬底片，电阻率为0.002~0.004Ω•cm，外延生长：源采用超高纯三氯氢硅，生长目标厚度的外延层，同时通入相应的掺杂源。掺杂源通入量分两段：第一段采用变掺杂的模式，起始掺杂流量设定值为0.1Ω·cm≤对应电阻率≤0.5Ω·cm的重掺杂质量，终点掺杂流量设定值为外延层目标电阻率对应的掺杂量，掺杂量变化速率恒定，变化区间可选择为总厚度的15%~30%；第二段掺杂通入量恒定，掺杂量设定值为外延层目标电阻率对应的掺杂量。采用本发明提供的工艺方法，片内中心、边缘的偏差明显缩小。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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