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一种超薄绝缘体上材料的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410222756.0
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2014-05-23
  • 申请人:
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
著录项信息
专利名称一种超薄绝缘体上材料的制备方法
申请号CN201410222756.0申请日期2014-05-23
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2014-08-06公开/公告号CN103972148A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请人地址
上海市长宁区长宁路865号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所当前权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人张苗;陈达;薛忠营;王刚;刘林杰;郭庆磊;母志强;狄增峰
代理机构上海光华专利事务所代理人李仪萍
摘要
本发明提供一种超薄膜绝缘体上材料的制备方法,包括步骤:1)在所述第一衬底表面外延第一掺杂单晶层、缓冲层、第二掺杂单晶层以及待转移层;2)低剂量离子注入至所述第一掺杂单晶层与第一衬底的界面以下预设深度;3)键合所述第二衬底的绝缘层与待转移层;4)退火剥离所述缓冲层与第一衬底;5)低剂量离子注入至所述第二掺杂单晶层与缓冲层的界面以上预设深度;6)键合所述第三衬底的绝缘层与缓冲层;7)退火剥离所述缓冲层与待转移层,获得两种绝缘体上材料。本发明采用两次注入剥离技术在制备超薄绝缘体上待转移层材料的同时,通过第二次剥离,还制备了另外一种绝缘体上材料,即,缓冲材料,这使得整个制备过程中几乎没有材料损耗。

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