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一种用于半熔工艺的坩埚

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201921294758.5
  • IPC分类号:C30B28/06;C30B29/06
  • 申请日期:
    2019-08-09
  • 申请人:
    赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司;江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
著录项信息
专利名称一种用于半熔工艺的坩埚
申请号CN201921294758.5申请日期2019-08-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B28/06IPC分类号C;3;0;B;2;8;/;0;6;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司;江西赛维LDK太阳能高科技有限公司申请人地址
江西省新余市高新技术产业园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司,江西赛维LDK太阳能高科技有限公司当前权利人赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司,江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
发明人胡润光;李建敏;陈欣文;黄俊
代理机构广州三环专利商标代理有限公司代理人郝传鑫;熊永强
摘要
本实用新型提供了一种用于半熔工艺的坩埚,包括坩埚本体和设置在所述坩埚本体内的硅板,所述坩埚本体包括底座和由所述底座向上延伸的侧壁,所述硅板设置在所述底座上,所述硅板为多晶硅薄板、切片余料板、或所述多晶硅薄板和所述切片余料板交替层叠形成的复合板。本实用新型提供的坩埚可以用于半熔工艺,以制备多晶硅锭,其中硅板可以阻隔硅料与坩埚本体底座的直接接触,避免在铸锭过程中硅锭受到杂质污染,减少尾部红区,提高硅锭的出材率,提高硅锭切片数量。

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