用于半导体封装的多层衬底

发明专利有效专利

申请号：
CN201480026806.6
IPC分类号：H01L23/498;H01L21/48
申请日期：
2014-12-22
申请人：
英特尔公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于半导体封装的多层衬底
申请号	CN201480026806.6	申请日期	2014-12-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-04-20	公开/公告号	CN105518858A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/498 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/498 引线位于绝缘衬底上的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	任纬伦;P·贾殷;D·塞纳维拉特纳;C-M·陈
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	陈松涛;王英

摘要

所公开的实施例包括用于半导体封装的多层衬底。衬底可以包括第一层，其具有第一侧面和第二侧面，所述第一侧面具有xy平面，并且所述第一侧面上的独立的位置具有在第一侧面xy平面之下的第一侧面距离，并且所述第二侧面具有第二侧面xy平面，并且所述第二侧面上的独立的位置可以具有在所述第二侧面xy平面之下的第二侧面距离；并且所述衬底包括第二层，其具有与所述第一层的所述第二侧面耦合的第一侧面以及与所述第二层的所述第一侧面相对的第二侧面，其中，所述第二层上的独立的位置处的所述第二层的厚度可以由所述第一侧面距离加上所述第二侧面距离组成。可以描述和/或要求其它实施例。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供