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半导体装置与其的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510288705.2
  • IPC分类号:H01L29/778;H01L21/336;H01L29/40
  • 申请日期:
    2015-05-29
  • 申请人:
    台达电子工业股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体装置与其的制造方法
申请号CN201510288705.2申请日期2015-05-29
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-01-27公开/公告号CN105280695A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/778
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人台达电子工业股份有限公司申请人地址
中国台湾桃园县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台达电子工业股份有限公司当前权利人台达电子工业股份有限公司
发明人廖文甲
代理机构隆天知识产权代理有限公司代理人赵根喜;李昕巍
摘要
一种半导体装置包含基板、有源层、源极、漏极、P型掺杂层、栅极、第一保护层以及场板。有源层置于基板上。源极与漏极置于有源层上。P型掺杂层置于有源层上且置于源极与漏极之间。P型掺杂层具有第一厚度。栅极置于P型掺杂层上。第一保护层至少覆盖栅极与有源层。场板置于第一保护层上且电性连接至源极。场板包含场分散部,置于栅极与漏极之间。第一保护层于场分散部与有源层之间具有第二厚度。第二厚度小于第一厚度。

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