大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310196038.6
IPC分类号：C30B29/24;C30B11/00
申请日期：
2013-05-24
申请人：
哈尔滨工业大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法
申请号	CN201310196038.6	申请日期	2013-05-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2013-09-18	公开/公告号	CN103305911A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/24 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕 C30B29/22 复合氧化物〔3〕 C30B29/24 分子式为AMeO3的，其中A为稀土金属，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al，例如正铁氧体〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;2;4;;;C;3;0;B;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区一匡街2号哈工大科学园A栋201室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	张明福;聂颖;郭怀新;韩杰才;赵盼盼;闫润泽
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本文发明涉及一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平定向凝固结晶生长Re:YAP激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的Re:YAP激光晶体具有质量更高，尺寸更大，利用率更高，缺陷密度低，激光性能更好，无掺杂离子核心、成本低及耗能少等优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供