集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法及其结构、及具有处理过的透明电极的透明基板

发明专利无效专利

申请号：
CN200910135641.7
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/0224
申请日期：
2006-03-16
申请人：
韩国科学技术院

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著录项信息

专利名称	集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法及其结构、及具有处理过的透明电极的透明基板
申请号	CN200910135641.7	申请日期	2006-03-16
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-10-21	公开/公告号	CN101562219
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4查看分类表>
申请人	韩国科学技术院	申请人地址	韩国大田市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	韩国科学技术院	当前权利人	韩国科学技术院
发明人	林宏树;权圣源;郭中焕;朴相一;尹浚宝;文建又
代理机构	北京中安信知识产权代理事务所	代理人	张小娟

摘要

本发明涉及集成薄膜太阳能电池，尤其涉及最小化制造过程所引起的集成太阳能电池的损耗并可通过低成本工序获得的集成薄膜太阳能电池，以及制造该太阳能电池的方法，用于集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法，其通过最小化集成薄膜太阳能电池的单元电池之间(绝缘)间隙能够加宽有效区域并减少制造成本，以及透明电极的结构，以及具有透明电极的透明基板。制造集成薄膜太阳能电池的方法包括以下步骤：(a)单独在透明基板上形成透明电极图案；(b)在步骤(a)的基板上形成太阳能电池(半导体)层；(c)通过在太阳能电池(半导体)层上倾斜沉积导电材料形成第一后电极；(d)通过将第一后电极作为掩模蚀刻太阳能电池(半导体)层；和(e)通过在步骤(d)的基板上倾斜沉积金属形成第二后电极以使透明电极和第一后电极电连接。

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