碳化硅晶体生长方法及生长装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202011401063.X
IPC分类号：C30B29/36;C30B7/00;C30B23/00;C30B25/00;C30B25/16
申请日期：
2020-12-02
申请人：
中电化合物半导体有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	碳化硅晶体生长方法及生长装置
申请号	CN202011401063.X	申请日期	2020-12-02
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-03-26	公开/公告号	CN112553691A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;7;/;0;0;;;C;3;0;B;2;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;5;/;1;6查看分类表>
申请人	中电化合物半导体有限公司	申请人地址	浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中电化合物半导体有限公司	当前权利人	中电化合物半导体有限公司
发明人	马远;潘尧波
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	佟婷婷

摘要

本发明提供一种碳化硅晶体生长方法及生长装置，生长装置包括：炉体支架、长晶炉组件、抽屉结构、设置在所述炉体支架上的第一气氛控制组件、设置在所述抽屉结构上的第二气氛控制组件、升降机构以及设置在所述炉体支架上的操作孔组件，其中，炉体支架中形成密封操作室，抽屉结构可以进出操作室，并在操作室中进行物料更换等操作。可以解决碳化硅晶体生长过程中有害气体影响的问题，通过对生长装置进行设计，并基于工艺条件控制，形成密封操作室，使得使长晶炉主体在开装炉过程中可以免除有害气体对炉膛、石墨保温与坩埚、原料等的污染，以降低长晶过程中排氮的难度，从而提升碳化硅晶体的质量与性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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