一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202010573852.5
IPC分类号：H01L33/20;H01L33/12;H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/105;H01L31/18;H01L33/00
申请日期：
2020-06-22
申请人：
宜兴曲荣光电科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用
申请号	CN202010573852.5	申请日期	2020-06-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-28	公开/公告号	CN111599905A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/20 具有特定的形状，例如弯曲或截断的衬底〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;2;0;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;5;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;5;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	宜兴曲荣光电科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市宜兴经济技术开发区永安西路南侧变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宜兴曲荣光电科技有限公司	当前权利人	宜兴曲荣光电科技有限公司
发明人	高芳亮
代理机构	广州专才专利代理事务所（普通合伙）	代理人	曾嘉仪

摘要

本发明公开了生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用，包括依次生长在Si衬底上的AlN缓冲层、第一GaN缓冲层、第二GaN缓冲层和GaN薄膜；第一GaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第一沟槽；第二GaN缓冲层的下部沉积在第一沟槽内，第二GaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第二沟槽；第一沟槽和第二沟槽在垂直方向上不重叠；GaN薄膜的下部沉积在第二沟槽内。该生长在Si衬底上的GaN薄膜通过多次刻蚀，增加GaN的横向外延，有效抑制位错往上延伸，具有生长高晶体质量薄膜的优点。本发明生长在Si衬底上的GaN薄膜可以应用于制备蓝光LED灯、紫光LED灯、GaN基光电探测器以及太阳能电池中。

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