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一种阵列基板的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410856151.7
  • IPC分类号:H01L21/77;G02F1/1343
  • 申请日期:
    2014-12-31
  • 申请人:
    深圳市华星光电技术有限公司
著录项信息
专利名称一种阵列基板的制备方法
申请号CN201410856151.7申请日期2014-12-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-04-29公开/公告号CN104576527A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/77IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;G;0;2;F;1;/;1;3;4;3查看分类表>
申请人深圳市华星光电技术有限公司申请人地址
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市华星光电技术有限公司当前权利人深圳市华星光电技术有限公司
发明人杜海波;申智渊;明星;虞晓江
代理机构北京聿宏知识产权代理有限公司代理人朱绘;张文娟
摘要
本发明公开了一种阵列基板的制备方法,属于显示技术领域,提高了半曝光技术的成功率,并且提高了阵列基板的良品率。该阵列基板的制备方法包括:形成待刻蚀的导电层;在所述导电层之上形成绝缘层,在所述绝缘层之上形成光刻胶层;进行半色调光罩工艺或灰色调光罩工艺,去除所述光罩的完全透光区域对应的绝缘层,并去除部分透光区域对应的光刻胶层、减小所述部分透光区域对应的绝缘层的厚度;去除所述绝缘层未覆盖区域的导电层,形成所述导电层的结构;去除剩余的光刻胶层以及所述部分透光区域对应的绝缘层。本发明可用于液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置。

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