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接合垫的区域结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201811004150.4
IPC分类号：H01L23/488;H01L21/60
申请日期：
2018-08-30
申请人：
业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	接合垫的区域结构
申请号	CN201811004150.4	申请日期	2018-08-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-08	公开/公告号	CN109166839A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/488 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司	申请人地址	四川省成都市高新区西区合作路689号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	业成科技（成都）有限公司,业成光电（深圳）有限公司,英特盛科技股份有限公司	当前权利人	业成科技（成都）有限公司,业成光电（深圳）有限公司,英特盛科技股份有限公司
发明人	李其裕;巩厚富;任慧敏
代理机构	成都希盛知识产权代理有限公司	代理人	杨冬梅;张行知

摘要

本发明系提供一种接合垫的区域结构，包含有接合垫区域及弯折区域，接合垫区域中具有复数T形接合垫及复数倒T形接合垫，这些T型接合垫与这些倒T形接合垫系以交错排列之方式于接合垫区域上，弯折区域系与接合垫区域相接合，本发明改良接合垫的形状，在接合垫接触面积不变的情况下，减短接合垫的长度。

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