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一种可见光波段氮化硅光束偏转芯片

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811143021.3
  • IPC分类号:G02B6/125;G02B6/126
  • 申请日期:
    2018-09-28
  • 申请人:
    上海理工大学
著录项信息
专利名称一种可见光波段氮化硅光束偏转芯片
申请号CN201811143021.3申请日期2018-09-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-01-25公开/公告号CN109270628A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/125IPC分类号G;0;2;B;6;/;1;2;5;;;G;0;2;B;6;/;1;2;6查看分类表>
申请人上海理工大学申请人地址
上海市杨浦区军工路516号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海理工大学当前权利人上海理工大学
发明人冯吉军;仲路铭;张福领;曾和平
代理机构上海邦德专利代理事务所(普通合伙)代理人袁步兰
摘要
本发明提出了可见光波段氮化硅光束偏转芯片,包括硅基衬底、二氧化硅缓冲层、二氧化硅包层和基于氮化硅波导的芯层;二氧化硅缓冲层设置在所述硅基衬底上;二氧化硅包层附在二氧化硅缓冲层上;芯层包括光分束单元、第一弯曲波导、第二弯曲波导、热光移相器和出射波导阵列;光分束单元、第一弯曲波导、第二弯曲波导和出射波导阵列位于所述述二氧化硅包层内且位于所述述二氧化硅缓冲层上;所述热光移相器置于所述二氧化硅包层上;光分束单元包括多个基于氮化硅波导的分束器;所述分束器的工作带宽480nm~645nm。本发明基于氮化硅制作,尺寸小,结构紧凑且加工简单,制作容差大,产品良率高,可实现可见光均匀分束、相位调制及光束偏转。

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