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对具有二极管的交叉点非易失性存储器单元的写入方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201080024397.8
  • IPC分类号:G11C13/00
  • 申请日期:
    2010-03-30
  • 申请人:
    桑迪士克3D有限责任公司
著录项信息
专利名称对具有二极管的交叉点非易失性存储器单元的写入方法
申请号CN201080024397.8申请日期2010-03-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-05-16公开/公告号CN102460585A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C13/00IPC分类号G;1;1;C;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人桑迪士克3D有限责任公司申请人地址
美国德克萨斯州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人桑迪士克科技有限责任公司当前权利人桑迪士克科技有限责任公司
发明人罗伊·E·朔伊尔莱因
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李春晖;李德山
摘要
一种存储器系统,包括:X线、第一Y线、第二Y线、沿X线延伸的第一类型的半导体区域、在第一Y线和第一类型的半导体区域之间的第一转换材料和第二类型的第一半导体区域、在第二Y线和第一类型的半导体区域之间的第二转换材料和第二类型的第二半导体材料以及控制电路。控制电路与X线、第一Y线以及第二Y线进行通信。控制电路通过使第一电流从第二Y线经过第一转换材料、第二转换材料、第一类型的半导体区域、第二类型的第一半导体区域和第二类型的第二半导体区域流到第一Y线,来将第一转换材料的编程状态转变成第一状态。

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