替比培南匹伏酯结晶及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210335035.1
IPC分类号：C07D477/20;C07D477/02
申请日期：
2012-09-12
申请人：
高瑞耀业（北京）科技有限公司;高拓耀业（北京）科技有限公司

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专利名称	替比培南匹伏酯结晶及其制备方法
申请号	CN201210335035.1	申请日期	2012-09-12
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-26	公开/公告号	CN103664949A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C07D477/20 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C07 有机化学〔2〕 C07D 杂环化合物（高分子化合物入C08）〔2〕 C07D477/00 杂环化合物，含有1-氮杂二环〔3.2.0〕庚烷环系，即含下式环系的化合物： C07D477/10 有氢原子，烃基或取代的烃基，直接连在位置4，并有3个键连杂原子至多1个键连卤素的碳原子，例如酯基或氰基，直接连在位置2〔6〕 C07D477/12 有氢原子，烃基或取代的烃基，连在位置6〔6〕 C07D477/16 有杂原子或3个键连杂原子至多1个键连卤素的碳原子，例如酯基或氰基，直接连在位置3〔6〕 C07D477/20 硫原子〔6〕	IPC分类号	C;0;7;D;4;7;7;/;2;0;;;C;0;7;D;4;7;7;/;0;2查看分类表>
申请人	高瑞耀业（北京）科技有限公司;高拓耀业（北京）科技有限公司	申请人地址	北京市海淀区西郊半壁店59号12号楼1338室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	高瑞耀业（北京）科技有限公司,高拓耀业（北京）科技有限公司	当前权利人	高瑞耀业（北京）科技有限公司,高拓耀业（北京）科技有限公司
发明人	张晟源
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及制备下式(I)所示的替比培南匹伏酯结晶物及其制备方法。本发明提供了一种制备高纯度的式(I)所示的替比培南匹伏酯结晶物及其制备方法，该方法包括将(+)-(4R，5S，6S)-6-[(1R)-1-羟乙基]-4-甲基-7-氧代-3-[[1-(2-噻唑啉-2-基)-3-氮杂环丁基]硫代]-1-氮杂双环[3.2.0]庚-2-烯-2-羧酸-2-特戊酸甲酯(替比培南匹伏酯)在乙醇、乙腈、乙酸乙酯、丙酮、正己烷的单一或混合溶剂中在指定温度下进行溶解、重结晶和干燥，从而制备出高纯度的替比培南匹伏酯的结晶物，该晶型稳定、各项指标符合要求、便于生产和储存。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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