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高性能LED封装材料的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010575000.6
  • IPC分类号:C08L83/04;C08K3/22;C08G77/06;C01G23/053;H01L33/56
  • 申请日期:
    2010-12-02
  • 申请人:
    杭州格灵新材料科技有限公司
著录项信息
专利名称高性能LED封装材料的制备方法
申请号CN201010575000.6申请日期2010-12-02
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-06-01公开/公告号CN102079877A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08L83/04IPC分类号C;0;8;L;8;3;/;0;4;;;C;0;8;K;3;/;2;2;;;C;0;8;G;7;7;/;0;6;;;C;0;1;G;2;3;/;0;5;3;;;H;0;1;L;3;3;/;5;6查看分类表>
申请人杭州格灵新材料科技有限公司申请人地址
浙江省杭州市西湖区古翠路80号浙江科技产业大厦105室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州格灵新材料科技有限公司当前权利人杭州格灵新材料科技有限公司
发明人杨辉;申乾宏;樊先平;詹树林;钱晓倩;郝嵘
代理机构杭州中成专利事务所有限公司代理人金祺
摘要
本发明涉及封装材料制备,旨在提供一种高性能LED封装材料的制备方法。该包括:在搅拌条件下将钛酸丁酯与无水乙醇的混合液缓慢加入到盐酸水溶液中,水解、聚合、陈化,获得溶胶经高速离心后,解胶分散于无水乙醇中,制得富含羟基的二氧化钛功能溶胶;将有机硅单体混合物加入到二氧化钛功能溶胶中,添加酸催化剂调节pH值,在搅拌下反应,将溶剂蒸发去除,获得最终产物。本发明通过液相制备方法提高了二氧化钛功能粒子表面羟基含量,增强了其反应活性,并有效避免了传统高温晶化制备工艺引起的纳米粒子长大和团聚等问题。确保了纳米二氧化钛对有机硅类LED封装材料折射率、抗紫外等性能的高效优化与增强。

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