非易失性半导体存储装置的编程方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010624510.8
IPC分类号：G11C16/02;G11C16/06
申请日期：
2010-12-31
申请人：
三星电子株式会社

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著录项信息

专利名称	非易失性半导体存储装置的编程方法
申请号	CN201010624510.8	申请日期	2010-12-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-07-27	公开/公告号	CN102136293A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;2;;;G;1;1;C;1;6;/;0;6查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道水原市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	杨升震;金龙泰
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	韩明星;李娜娜

摘要

本发明公开一种非易失性半导体存储装置的编程方法，所述编程方法利用负偏置电压。所述方法包括：在编程模式中，在同一存储器块中导通连接到被选择的位线的串选择晶体管并截止连接到未被选择的字线的串选择晶体管。这可以通过将负偏置电压施加到体基底并施加电压电平高于连接到被选择的位线的串选择晶体管的阈值电压并低于连接到未被选择的位线的串选择晶体管的阈值电压的电压来实现。所述方法可以减小在被选择的单元串和未被选择的单元串之间的编程干扰。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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