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一种原子层沉积设备及其喷头模组

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201720017224.2
  • IPC分类号:C23C16/455
  • 申请日期:
    2017-01-06
  • 申请人:
    合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
著录项信息
专利名称一种原子层沉积设备及其喷头模组
申请号CN201720017224.2申请日期2017-01-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/455IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;5;5查看分类表>
申请人合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请人地址
安徽省合肥市新站区工业园内 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司当前权利人合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
发明人陈川
代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司代理人朱琳爱义
摘要
本实用新型公开了一种原子层沉积设备及其喷头模组,通过对原子层沉积设备的喷头模组的改进,可以实现同腔同时通入前驱体和惰性气体,利用通入的高速惰性气体气流将前驱体控制在特定区域内,避免相邻的前驱体之间发生接触;同时,利用高速惰性气体气流还可以将多余气体通过第一类喷头与第二类喷头之间的排气口排出,提高反应产物的纯度;因此,该设备不仅减少了前驱体与惰性气体的使用量,同时简化了工艺步骤,减少了工艺总时长,提高了制备薄膜的工艺效率,提高了产能。

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