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一种锂硫二次电池的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810227996.4
  • IPC分类号:H01M10/36;H01M4/36;H01M10/38
  • 申请日期:
    2008-12-04
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称一种锂硫二次电池的制备方法
申请号CN200810227996.4申请日期2008-12-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-04-29公开/公告号CN101420047
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M10/36IPC分类号H;0;1;M;1;0;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;1;0;/;3;8查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市-82信箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人任建国;何向明;蒲薇华;王莉;李建军;万春荣;姜长印
代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司代理人朱琨
摘要
本发明公开了新能源技术领域一种锂硫二次电池及其制备方法。所述负极由石墨浆料涂覆在铜箔基体上形成的基片及沉积于石墨基片表面上的锂沉积层组成。所述制备方法:石墨粉末、粘结剂、增粘剂和导电剂加入溶剂,混合均匀成为浆料,刮涂在铜箔基体上形成基片,然后在石墨基片表面真空蒸发镀锂。利用本发明的表面真空蒸镀锂的石墨为负极的锂硫二次电池,避免使用高活性的金属锂箔负极,有利于提高锂硫二次电池的安全性和循环稳定性,解决了目前以金属锂箔为主的锂硫二次电池负极材料存在循环性、安全性差的问题。

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