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一种SOIESD两级保护网络

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410712386.9
  • IPC分类号:H01L27/02;H01L27/06
  • 申请日期:
    2014-11-28
  • 申请人:
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
著录项信息
专利名称一种SOIESD两级保护网络
申请号CN201410712386.9申请日期2014-11-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-03-25公开/公告号CN104465651A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;6查看分类表>
申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请人地址
上海市长宁区长宁路865号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所当前权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人宁冰旭;张正选;胡志远;彭超;樊双;邹世昌
代理机构上海光华专利事务所代理人李仪萍
摘要
本发明提供一种SOIESD两级保护网络,包括:第一级保护网络,由第一二极管及第二二极管组成;第二级保护网络,包括PMOS晶体管、外接电阻、缓冲电阻和硅控整流器,其中,所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端,第二端接所述硅控整流器的P型层及N阱区,并作为保护网络的输出端,所述PMOS晶体管的栅端和体端接电源线,源端接保护网络的输入端,漏端接所述外接电阻的第一端,并与所述硅控整流器的P阱区连接,所述外接电阻的第二端接地线,所述硅控整流器的N型层接地线。本项发明的SOI硅控整流器采用动态触发的原理,可以大大提高二级保护的反应速度,并大大降低内部电路栅击穿的可能性。

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