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等离子体处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410245384.3
  • IPC分类号:H01J37/32;H01L21/67
  • 申请日期:
    2014-06-04
  • 申请人:
    朗姆研究公司
著录项信息
专利名称等离子体处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁
申请号CN201410245384.3申请日期2014-06-04
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2014-12-17公开/公告号CN104217915A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/32IPC分类号H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人朗姆研究公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人朗姆研究公司当前权利人朗姆研究公司
发明人哈梅特·辛格
代理机构上海胜康律师事务所代理人李献忠
摘要
本发明涉及等离子体处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁。具体地,半导体等离子体处理装置包括在其中处理半导体衬底的真空室、与该真空室流体连通以将工艺气体供给到所述真空室中的工艺气体源、以及适于在真空室中将工艺气体激励成等离子体状态的RF能量源。该装置还可包括室壁,其中所述室壁包括用于将等离子体兼容液体供给到其暴露于等离子体的表面的机构,其中等离子体兼容液体流经暴露于等离子体的表面从而在暴露于等离子体的表面上形成流动的保护性液体层。液体供给器将等离子体兼容液体输送到室壁。

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