晶片温度控制方法及温度控制系统、半导体处理设备

发明专利有效专利

申请号：
CN201810319707.7
IPC分类号：G05D23/22;H01L21/67
申请日期：
2018-04-11
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司

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著录项信息

专利名称	晶片温度控制方法及温度控制系统、半导体处理设备
申请号	CN201810319707.7	申请日期	2018-04-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-10-22	公开/公告号	CN110362127A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G05D23/22 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G05 控制；调节 G05D 非电变量的控制或调节系统（金属的连续铸造入B22D 11/16；阀门本身入F16K；非电变量的检测见G01各有关小类；电或磁变量的调节入G05F） G05D23/00 温度的控制（电热器械的自动开关装置入H05B 1/02） G05D23/19 以使用电装置为特征的 G05D23/20 具有随温度变化而产生电或磁性质变化的传感元件（G05D 23/13优先） G05D23/22 传感元件为热电偶的	IPC分类号	G;0;5;D;2;3;/;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	北京北方华创微电子装备有限公司	申请人地址	北京市北京经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	魏延宝
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	彭瑞欣;姜春咸

摘要

本发明公开了一种晶片温度控制方法及系统、半导体处理设备。方法包括：S110、接收晶片的当前位置；S130、根据当前位置，判断当前位置与目标位置之间的位置关系；当判定当前位置在目标位置之前或在目标位置之后，执行步骤S140；当判定当前位置与目标位置重合，执行步骤S150；S140、控制加热器以预定开环加热功率进行开环加热，并重复执行步骤S110至步骤S130；S150、控制加热器闭环加热，以使得晶片的实际温度值与预设温度值一致。能够有效减小加热器的温度波动，提高晶片的加工良率，并且在晶片离开目标位置后，能够迅速切断闭环加热时的加热功率，有效防止加热器按照闭环加热时的加热功率继续升温，从而可以缩短下一片晶片的工艺温度的准备时间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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