结晶锆的生长系统及其方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010565683.7
IPC分类号：C22B34/14
申请日期：
2010-11-30
申请人：
南京佑天金属科技有限公司

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著录项信息

专利名称	结晶锆的生长系统及其方法
申请号	CN201010565683.7	申请日期	2010-11-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-04-13	公开/公告号	CN102011016A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C22B34/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C22 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理 C22B 金属的生产或精炼（金属粉末或其悬浮物的制取入B22F 9/00；电解法或电泳法生产金属入C25）；原材料的预处理 C22B34/00 难熔金属的提取〔2〕 C22B34/10 钛、锆或铪的提取〔2〕 C22B34/14 锆或铪的提取〔2〕	IPC分类号	C;2;2;B;3;4;/;1;4查看分类表>
申请人	南京佑天金属科技有限公司	申请人地址	江苏省南京市江宁区谷里街道工业集中区庆缘北路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京佑天金属科技有限公司	当前权利人	南京佑天金属科技有限公司
发明人	陈怀浩
代理机构	北京市京大律师事务所	代理人	李光松

摘要

本发明公开了一种结晶锆的生长系统及其方法，该系统包括电压可调的电源单元、反应器、设置在反应器内的钼隔罩、可容纳反应器的盐浴炉、对反应器进行冷却的冷却单元、对反应器进行抽吸真空的真空单元、给反应器进行加碘并由球阀控制的碘盒、设置在反应器上方并与电源单元电性相连的电极单元、设置在反应器内并与电极单元电性相连的结晶单元、以及设置在反应器内壁与钼隔罩之间的粗锆。与现有方法相比较，生长速度快，反应时间长，单炉产量高，单位能耗低，含氧量低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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