非真空制作铜铟镓硒浆料的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010116752.6
IPC分类号：H01L31/18
申请日期：
2010-03-03
申请人：
正峰新能源股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	非真空制作铜铟镓硒浆料的方法
申请号	CN201010116752.6	申请日期	2010-03-03
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-09-21	公开/公告号	CN102194917A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H01L31/18查看分类表>
申请人	正峰新能源股份有限公司	申请人地址	中国台湾*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	正峰新能源股份有限公司	当前权利人	正峰新能源股份有限公司
发明人	陈文仁
代理机构	北京华夏博通专利事务所	代理人	刘俊

摘要

本发明公开了一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法，包括混合不同平均粒径且具IB、IIIA及VIA族元素的二成份或三成份或四成份粉末，形成原始混合粉末，额外添加VIA族元素粉末并混合以形成最后混合粉末，添加溶剂并搅拌以形成所需的浆料，IB族元素包括铜，IIIA族元素包括铟或镓或铟镓混合材料而VIA族元素包括硒或硫或硒硫混合材料，额外添加的VIA族元素粉末包括硒或硫或硒硫混合材料，选用具第一平均粒径的粉末及具第二平均粒径的粉末，且后者为前者30％以下，以降低吸收层的空隙，增加致密度并提高光吸收特性及光电转换效率。